ROHM Semiconductor RV4E031RP HZG小信号MOSFET

ROHM Semiconductor RV4E031RP小信号MOSFET具有低导通电阻、小功率封装和低压驱动等特性。该MOSFET 100%经过UIS测试，包含可湿性侧翼，用于自动光学焊接检测 (AOI)。RV4E031RP HZG信号MOSFET的工作结温和存储温度范围为-55°C至150°C。该MOSFET具有-30V漏源电压、±3.1A连续漏极电流和1.5W功耗。典型应用包括开关电路、高侧负载开关和高速线路驱动器。