RV4E031RPHZGTCR1

Name: ROHM Semiconductor RV4E031RPHZGTCR1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RV4E031RPHZGTCR1
Price: 2.42 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

755-RV4E031RPHZGTCR1

制造商编号：

RV4E031RPHZGTCR1

制造商：

ROHM Semiconductor

说明：

MOSFET AECQ

数据表:

RV4E031RPHZGTCR1 数据表

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制造商:	ROHM Semiconductor
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	DFN-1616-6W
晶体管极性:	P-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	30 V
Id-连续漏极电流:	3.1 A
Rds On-漏源导通电阻:	105 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.5 V
Qg-栅极电荷:	4.8 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	1.5 W
通道模式:	Enhancement
资格:	AEC-Q101
封装:	Reel
商标:	ROHM Semiconductor
配置:	Single
下降时间:	18 ns
正向跨导 - 最小值:	1.5 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	22 ns
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 P-Channel
典型关闭延迟时间:	35 ns
典型接通延迟时间:	7 ns
零件号别名:	RV4E031RPHZG

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数据表

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 日本
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

RV4E031RP HZG小信号MOSFET

ROHM Semiconductor RV4E031RP小信号MOSFET具有低导通电阻、小功率封装和低压驱动等特性。该MOSFET 100%经过UIS测试，包含可湿性侧翼，用于自动光学焊接检测 (AOI)。RV4E031RP HZG信号MOSFET的工作结温和存储温度范围为-55°C至150°C。该MOSFET具有-30V漏源电压、±3.1A连续漏极电流和1.5W功耗。典型应用包括开关电路、高侧负载开关和高速线路驱动器。