STMicroelectronics SGT1D5R10MEA PowerGaN晶体管
STMicroelectronics SGT1D5R10MEA PowerGaN晶体管是一款100V、501A的e型晶体管，具有极低的导通损耗、大电流能力和超快的开关操作。该晶体管具有高切换频率，可实现紧凑、大功率密度设计，使用小型被动元件，简化热管理。SGT3D5R10MEB晶体管的典型RDS(ON)漏极电阻为1.1mΩ，工作结温范围为-40°C至+150°C。这款PowerGaN晶体管非常适用于DC-DC转换器、电机驱动器和太阳能系统MPPT。
特性
- 双侧冷却封装
- 晶体管的增强模式通常为关闭状态
- 极低电容
- 1.1mΩ典型RDS(ON)漏极电阻
- 总功耗（PTOT）：735W（TC = 25°C时）
- 工作结温范围：-40°C至+150°C
- 大功率管理能力
- 非常高的开关速度
- 零反向恢复电荷
应用
- 直流-直流转换器
- 电机驱动器
- 太阳能系统MPPT
发布日期: 2026-08-05
| 更新日期: 2026-08-11