每个栅极驱动器独立监控其外部MOSFET的漏源电压,以检测故障状态。一种更高效的外部MOSFET栅极电流控制,称为“三级栅极电流”,可减少开关损耗并优化电磁干扰 (EMI)。
这些设备集成了各种保护功能,包括漏源极监测(用于短路 检测)、过温警告和关闭、MCU控制超时Watchdog,以及通过SPI进行详细的关机状态诊断。STMicroelectronics STDRIVE141和STDRIVE121半桥栅极驱动器采用带有暴露焊盘的VFQFN32L封装,而STDRIVE181则采用更大的VFQFN48L封装。
特性
- 工作电压为6V至28V
- 四通道(STDRIVE141),双通道(STDRIVE121)或八通道(STDRIVE181)半桥,或单通道(STDRIVE121)、 双通道(STDRIVE141)或四通道(STDRIVE181)H桥,栅极驱动器
- 自适应MOSFET栅极控制
- 外部HS/LS的三级栅极控制
- 可编程栅极电流高达120mA
- 两个PWM输入(最高至50kHz)
- 低功耗模式(1.05µA)
- 串行外设接口(SPI),24位
- 全面的保护功能
- VDS监测
- 漏源监测,用于短路检测
- 过温警告与关断
- 超时Watchdog,用于MCU控制
- 通过SPI进行详细的关断状态诊断(开路负载、电源短路或接地短路)
应用
- 工业自动化
- CNC机床
- 3D打印机
- 定位系统
- 无人机云台
- 机器人吸尘器和游泳池清洁器
发布日期: 2026-05-27
| 更新日期: 2026-06-08

