STMicroelectronics STDRIVE631三路半桥栅极驱动器

STMicroelectronics STDRIVE631三路半桥栅极驱动器是高压设备,扩展了STDRIVE产品系列。每台设备集成三个用于N沟道功率MOSFET和IGBT的半桥栅极驱动器。该设备适用于三相应用。所有设备输出均可分别提供1.0A的拉电流和0.85A的灌电流。互锁和死区时间功能可防止交叉导通。

该设备为每个输出和关闭引脚提供了专用输入引脚。逻辑输入与CMOS/TTL兼容,最低可达3.3V,便于与控制设备连接。低侧和高侧部分之间的匹配延迟保证了无循环失真,并支持高频操作。

STDRIVE631嵌入了一个带有高级SmartSD功能的比较器。该功能可确保快速有效地防止过电流和过热等故障事件。低侧和每个高侧驱动部分的专用欠压锁定 (UVLO) 保护功能可防止电源开关在低效率或危险条件下工作。

集成的自举二极管以及该IC的所有集成功能使应用PCB设计更加简单、紧凑且易于实现,从而降低了总体材料清单。STMicroelectronics 的 STDRIVE631 设备 采用 SO-28 封装。

特性

  • 高达600V高压轨
  • 驱动器电流能力
    • 25°C时的拉电流为1.0A
    • 25°C时的灌电流为0.85A
  • dV/dt瞬态抑制:±50V/ns
  • 栅极驱动电压范围:9V至20V
  • 整体输入-输出传播延迟:85 ns
  • 所有通道均有相配的传播延迟
  • 3.3V、5V TTL/CMOS输入,带迟滞(STDRIVE631P为正逻辑,STDRIVE631N为负逻辑)
  • 集成自举二极管
  • 用于快速过流保护的比较器
  • 智能关断功能
  • 联锁和死区功能
  • 专用启用引脚
  • 低侧和高侧的欠压锁定 (UVLO) 功能

应用

  • 三相电机驱动器
  • 逆变器

方框图

框图 - STMicroelectronics STDRIVE631三路半桥栅极驱动器
发布日期: 2026-06-24 | 更新日期: 2026-07-09