TE Connectivity PolyZen器件

TE Connectivity PolyZen器件

TE Connectivity PolyZen器件是聚合物增强的精密齐纳二极管微型组件,用于帮助保护敏感电子设备因感应式尖峰电压、电压瞬变、错误供电及反向偏压而造成的危害。TE Connectivity PolyZen器件由一个齐纳二极管和一个非线性聚合物正温度系数 (PPTC) 层组合而成,是一款小体积更具消费者驱动特征的器件,具有超薄外形,适合用于单个元器件布局和受限空间应用。 这些器件有助于对多W数故障事件造成的损害提供可复位保护,而所需功耗仅为0.7W。  在出现持续高功率条件时, PPTC元件执行“跳闸”来限制电流并生成压降。 这项保护机制增强了二极管的功率处理能力。

特性
  • 符合RoHS指令
  • 过压瞬变抑制
  • 保持电流达2.3A
  • 时间延迟,过压跳闸
  • 时间延迟,反向偏置跳闸
  • 功率处理相当于30W
  • 集于一体的器件结构
优点
  • 用于帮助保护下游电子设备不受过压和反向偏置的影响
  • 跳闸事件阻挡过压和反向偏置源
  • 跳闸事件的模拟性质能够尽可能地降低上游感应尖峰
  • 用于单个元器件布局以及最低散热要求有助于降低设计成本
应用
  • 便携式媒体播放器
  • 全球定位系统
  • 硬盘驱动器5V与12V总线
  • 固态硬盘(SSD)5V总线
  • 手机充电器端口和USB电源
  • 汽车外围设备输入电源
  • DC电源端口保护
  • 工业用手持式POS机
PolyZen器件的一般特征

工作温度
-40ºC-+85ºC
 
储存温度
-40ºC-+85ºC
 
耐受ESD
15kV
人体模式
二极管电容
4200pF
1MHz时的典型值:1V RMS
结构
符合RoHS指令
 

PolyZen器件的典型应用框图


  • TE Connectivity
  • Circuit Protection
发布日期: 2016-03-29 | 更新日期: 2016-03-29