Texas Instruments ISOTMP35/ISOTMP35-Q1隔离型温度传感器

Texas Instruments ISOTMP35/ISOTMP35-Q1隔离型温度传感器采用模拟输出设计,热响应速度快,小于2秒。这款传感器集成稳健可靠的隔离栅,可提供3000VRMS隔离耐受电压和500VRMS隔离工作电压。这种集成设计使传感器能够靠近高压热源布置,而无需昂贵的隔离电路,从而提供更高精度和更快热响应。ISOTMP35/ISOTMP35-Q1传感器在2.3V至5.5V的非隔离电源电压范围内工作,可轻松集成到高压平面上没有次级稳压电源的应用中。ISOTMP35-Q1温度传感器通过了汽车应用类AEC-Q100认证。典型应用包括:SiC/IGBT PowerFET温度监测、HEV/EV电池管理系统 (BMS)、HEV/EV车载充电器 (OBC) 和无线充电器、HEV/EV DC/DC转换器,以及动力总成温度传感器。

ISOTMP35/ISOTMP35-Q1温度传感器的集成隔离栅符合UL 1577要求。该传感器采用表面贴装封装(7引脚SOIC),提供从热源到嵌入式热传感器的良好热流。因而能够最大限度地减少热质量,提供更精确的热源测量,并通过减少由于制造和组装而产生的机械变化来提高系统设计裕度。

特性

  • 稳健可靠的集成式隔离栅:
    • 耐受隔离电压:3000VRMS
    • 工作隔离电压:500VRMS
  • 符合AEC-Q100标准,具体如下:
    • 温度等级0:-40°C至150°C(环境工作温度范围)
    • 器件人体模型 (HBM) 静电放电 (ESD) 分类等级2
    • 器件充电器件模型 (CDM) 静电放电分类等级C5
  • 可提供文档,协助功能安全系统设计
  • 隔离栅寿命:>50年
  • 温度传感器精度:
    • ±0.5 °C(在 25 °C 下的典型值)
    • 0°C至70°C范围内为±1.5°C(最大值)
    • 40°C至±2.0 °C范围内为150 °C(最大值)
  • 工作电源电压范围:2.3 V至5.5 V
  • 正斜率传感器增益:10mV/°C,失调电压为500mV(0°C时)
  • 快速热响应:<>
  • 输出短路保护
  • 低功耗:9µA(典型值) 
  • DFQ(SOIC-7)封装
  • 安全相关认证(计划中):
    • 按照UL 1577标准,隔离度为3kVRMS,持续1分钟

应用

  • 碳化硅(SiC)PowerFET温度监测
  • 绝缘栅极双极晶体管 (IGBT) PowerFET温度监控
  • HEV/ev BMS
  • HEV/ev OBC和无线充电器
  • HEV/EV DC/DC转换器
  • HEV/EV逆变器和电机控制
  • 动力总成温度传感器

功能框图

框图 - Texas Instruments ISOTMP35/ISOTMP35-Q1隔离型温度传感器

典型应用图

应用电路图 - Texas Instruments ISOTMP35/ISOTMP35-Q1隔离型温度传感器
发布日期: 2024-07-22 | 更新日期: 2026-06-24