SCTW35N65G2VAG

STMicroelectronics
511-SCTW35N65G2VAG
SCTW35N65G2VAG

制造商：

说明：
碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mOhm (typ., TJ = 2
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库存量: 198

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单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
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数量 单价
总价
¥98.8411 ¥98.84
¥73.7777 ¥737.78
¥70.3877 ¥7,038.77
¥61.8675 ¥37,120.50

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
Through Hole
HiP-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
45 A
67 mOhms
- 10 V, + 22 V
5 V
73 nC
- 55 C
+ 200 C
240 W
Enhancement
AEC-Q101
商标: STMicroelectronics
封装: Tube
产品类型: SiC MOSFETS
工厂包装数量: 600
子类别: Transistors
技术: SiC
单位重量: 4.500 g
找到的产品:
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已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

汽车级碳化硅功率MOSFET

STMicroelectronics汽车级碳化硅功率MOSFET采用ST先进的创新第二/第三代碳化硅MOSFET技术开发而成。   该器件具有单位面积导通电阻低、开关性能好等特点。  这些MOSFET具有非常高的工作温度能力（TJ = 200°°C），以及非常快速而坚固的本征体二极管。

碳化硅功率MOSFET

STMicroelectronics碳化硅功率MOSFET将宽禁带材料的先进性和可靠性引入到更广泛的节能应用中，如用于电动/混合动力汽车、太阳能或风力发电、高效驱动器、电源和智能电网设备的逆变器。从650V到1700V的扩展电压范围使其具有出色的开关性能，以及极低的单位面积导通电阻RDS(on)性能指标，从而实现了更高效、更紧凑的系统。ST的1200V SiC MOSFET具有200°C的高温度额定值，可改进电力电子系统的散热设计。与硅MOSFET相比，SiC MOSFET的开关损耗更低，且随温度的变化更小。

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