碳化硅MOSFET

碳化硅MOSFET
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结果: 1,337
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 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
资格
商标名
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SiC MOSFET, 750 V
数据表
348库存量
240预期 2027/5/31
最低： 1
倍数： 1
Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 40 A 80 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 142 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
80库存量
最低： 1
倍数： 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 45 A 50 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 182 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
264库存量
750预期 2026/7/2
最低： 1
倍数： 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 36 A 65 mhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 24 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SiC MOSFET, 750V, G2, 16 m
数据表
35库存量
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 93 A 32 mOhms - 7 V, + 23 V 4.5 V 74 nC - 55 C + 175 C 318 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
50库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 53 A 41.3 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 37 nC - 55 C + 175 C 217 W Enhancement CoolSiC
APC-E 碳化硅MOSFET 650V 50mR, TO-247-4L, Automotive Grade
数据表
266库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 650 V 44 A 65 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 45 nC - 55 C + 175 C 198 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2
数据表
28库存量
最低： 1
倍数： 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 86 A 25 mOhms -7 V to + 23 V 4.5 V 59 nC - 55 C + 175 C 340 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SiC MOSFET, 750V, G2, 11 m
数据表
28库存量
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 129 A 22 mOhms - 7 V, + 23 V 4.5 V 106 nC - 55 C + 175 C 416 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2
数据表
128库存量
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 64 A 31 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 49 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC Automotive MOSFET 750 V G2 in Q-DPAK
数据表
56库存量
最低： 1
倍数： 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 36 A 65 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 24 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement CoolSiC
APC-E 碳化硅MOSFET 1200V 75mR, TO-247-4L, Automotive Grade
数据表
290库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 27 A 98 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 40 nC - 55 C + 175 C 151 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2
数据表
227库存量
1,500预期 2026/9/10
最低： 1
倍数： 1
: 750

SMD/SMT HD-SOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 53 A 65.6 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 37 nC - 55 C + 175 C 217 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET Automotive SiC MOSFET, 750 V
数据表
15库存量
240预期 2027/6/21
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 85 A 20 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 74 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET Automotive SiC MOSFET, 750 V
数据表
255库存量
最低： 1
倍数： 1
Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 28 A 78 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 20 nC - 55 C + 175 C 108 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2
数据表
122库存量
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 50 A 41.3 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 37 nC - 55 C + 175 C 189 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2
数据表
148库存量
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 29 A 78 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 20 nC - 55 C + 175 C 116 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SiC MOSFET, 750V, G2, 20 m
数据表
35库存量
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 79 A 40 mOhms - 7 V, + 23 V 4.5 V 59 nC - 55 C + 175 C 282 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2
数据表
144库存量
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 42 A 50 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 156 W Enhancement CoolSiC
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 14MOHM 1200V
数据表
889库存量
最低： 1
倍数： 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 104 A 20 mOhms - 10 V, + 22 V 4.63 V 337 nC - 55 C + 175 C 454 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化硅MOSFET 750V/18MOSICFETG4TO263
数据表
1,094库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 72 A 18 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 259 W Enhancement SiC FET

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOSFET 900V TO247-4L 20MOHM
数据表
2,235库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 900 V 118 A 28 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 196 nC - 55 C + 175 C 484 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V
数据表
1,285库存量
最低： 1
倍数： 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 106 A 28.5 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement EliteSiC
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A
数据表
12库存量
600预期 2027/3/26
最低： 1
倍数： 1
: 600

AEC-Q100
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET TO263 750V 51A N-CH SIC
数据表
2,008库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 51 A 26 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 94 nC + 175 C 150 W Enhancement
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 22MOHM 1200V
数据表
819库存量
最低： 1
倍数： 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 58 A 30 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 148 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement EliteSiC