FGA6560WDF

512-FGA6560WDF
FGA6560WDF

制造商：

说明：
绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT, 650 V, 60 A Field Stop Trench

寿命周期:
停产
数据表:
ECAD模型:
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供货情况

库存：

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
发货限制：
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RoHS:  
Si
TO-3PN
Through Hole
Single
650 V
1.8 V
- 20 V, 20 V
120 A
306 W
- 55 C
+ 175 C
FGA6560WDF
Tube
商标: onsemi
集电极最大连续电流 Ic: 120 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 450
子类别: IGBTs
单位重量: 6.401 g
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已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

ON Semiconductor FGA6560WDF 650V 60A 场终止型沟槽结构 IGBT

ON Semiconductor FGA6560WDF 650V 60A场终止型沟槽结构IGBT采用了新颖的场终止型 IGBT 技术。 全新系列终止型第三代 IGBT 为低导通和开关损耗的焊机应用提供最优性能。
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