Fairchild Semiconductor

仙童 650V 场终止型 IGBT

仙童 650V 场终止型 IGBT 技术使设计人员能够开发出高度可靠的系统，它们有更高输入电压和最高性能，同时又具有低导通和开关损耗。650V IGBT 有高电流处理能力、正温度系数、紧密的参数分布和宽的安全工作区。更高的击穿电压使环境温度为零下时性能更可靠，IGBT 和 FRD 闭塞电压随着温度的降低而降低，使得该器件尤其适合寒冷气候中使用的 PV 太阳能逆变器。鉴于慎重选择 IGBT 和续流二极管对提高效率非常重要，650V IGBT 能实现快速软恢复，从而降低功率耗散及接通和断开损耗。

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IGBT Basics IGBT 基础
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仙童的 FGAFx0n60 650V 场终止型 IGBT 采用创新的场终止 IGBT 技术，仙童全新的场终止第 2 代 IGBT 系列为太阳能逆变器、UPS、焊机、数字功率发生器等需要低导通和开关损耗的应用提供了最佳的性能。


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FGAF20N60SMD 数据表
FGAF40N60SMD 数据表
特点
  • 最高结温：TJ = 175ºC
  • 正温度系数易于并联工作
  • 大电流能力
  • 低饱和电压
  • 高输入阻抗
  • 快速转换
  • 参数分布紧密
  • 符合 RoHS 要求
 应用
  • 缝纫机
  • CNC
  • 家用电器
  • 电机控制
 

仙童 FGD3N60 650V 场终止 IGBT 采用 NPT IGBT 技术， 仙童®这种 NPT IGBT 为要求低损耗和短路耐受特性的低功率逆变器驱动的应用，提供了最佳的性能。


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FGD3N60UNDF 数据表
 Fairchild FGD3N60 650V Field Stop IGBT
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特点
  • 短路额定 10us
  • 大电流能力
  • 高输入阻抗
  • 快速转换
  • 符合 RoHS 要求
 应用
  • 缝纫机
  • CNC
  • 家用电器
  • 电机控制
 

仙童的 FGHx0T65 650V 场终止型 IGBT 采用创新的场终止沟槽型 IGBT 技术，仙童® 全新的场终止沟槽型 IGBT 系列提高了太阳能逆变器、UPS、焊机、数字功率发生器等需要低导通和开关损耗的应用性能。


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FGH40T65UPD 数据表
FGH50T65UPD 数据表
 Fairchild FGHx0T65 650V Field Stop IGBTs
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特点
  • 最高结温：TJ = 175ºC
  • 正温度系数易于并联工作
  • 大电流能力
  • 低饱和电压
  • 100% 经过元件测试 ILM（2）
  • 高输入阻抗
  • 参数分布紧密
  • 符合 RoHS 要求
  • 短路耐受性 > 5us @25ºC
 应用
  • 太阳能逆变器
  • 供电系统
  • 焊接
  • 数字功率发生器
  • 电信
  • ESS

仙童的 FGA30N65SMD 650V 场终止型 IGBT 采用创新的场终止 IGBT 技术，仙童®全新的场终止第 2 代 IGBT 系列为太阳能逆变器、UPS、焊机、感应加热、电信、EES 和 PFC 等需要低导通和开关损耗的应用提供了最佳的性能。


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FGA30N65SMD 数据表

 特点
  • 最高结温：TJ = 175ºC
  • 正温度系数易于并联工作
  • 大电流能力
  • 低饱和电压:VCE(sat) =1.98V(典型值) @ IC = 30A
  • 快速转换
  • 参数分布紧密
  • 符合 RoHS 要求

  应用
  • 太阳能逆变器
  • 供电系统
  • 焊接
  • PFC
  • 注入加热
  • 电信
  • ESS

Fairchild FGA30N65SMD 650V Field Stop IGBT 
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仙童 FGA6560WDF 650V 60A 场终止型沟槽结构 IGBT 采用了新颖的场终止型 IGBT 技术。这一全新系列 场 终止型 第三代 IGBT 为焊机等 要求低导通损耗和开关损耗的应用提供了最佳性能。


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FGA6560WDF 数据表

特点
  • 最高结温：TJ = 175ºC
  • 正温度系数易于并联工作
  • 大电流能力
  • 低饱和电压
  • 100% 经过元件测试 ILM（2）
  • 高输入阻抗
​

  • 参数分布紧密
  • 符合 RoHS 要求
  • 短路耐受性 > 5us @25ºC

应用
  • 仅适用于焊机
 Fairchild FGA6560WDF 650V Field Stop Trench IGBTs
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  • ON Semiconductor