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IMZA65R048M1HXKSA1

Name: Infineon IMZA65R048M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMZA65R048M1HXKS
Price: 60.46 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

726-IMZA65R048M1HXKS

制造商编号：

IMZA65R048M1HXKSA1

制造商：

Infineon Technologies

说明：

碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

数据表:

IMZA65R048M1HXKSA1 数据表 (PDF)

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数量	单价	总价
	¥68.3198	¥68.32
	¥43.3468	¥433.47
	¥37.1431	¥3,714.31
	¥35.0752	¥16,836.10

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	碳化硅MOSFET
RoHS:
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247-4
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	39 A
Rds On-漏源导通电阻:	64 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 5 V, + 23 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	5.7 V
Qg-栅极电荷:	33 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	125 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	CoolSiC
商标:	Infineon Technologies
配置:	Single
下降时间:	13 ns
封装:	Tube
产品类型:	SiC MOSFETS
上升时间:	12.6 ns
系列:	IMZA65R048
工厂包装数量:	240
子类别:	Transistors
技术:	SiC
典型关闭延迟时间:	17 ns
典型接通延迟时间:	14.8 ns
零件号别名:	IMZA65R048M1H SP005398433
单位重量:	6 g

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数据表

IMZA65R048M1HXKSA1 数据表 (PDF)

Models

IMZA65R048M1HXKSA1 Symbol & Footprint by SnapMagic

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

体验功率差异

英飞凌是功率半导体市场的领导者。英飞凌拥有20多年的经验，是革命性CoolMOS™ 超级结MOSFET技术的创新者，在电源管理领域继续开拓创新。客户可以根据单独的设计/系统要求从业界最广泛的硅基SJ MOSFET产品组合中进行选择。作为掌握所有三种主要电源技术的少数制造商之一，英飞凌以突破性的宽带隙 (WBG) 产品补充了这一系列产品。该产品包括碳化硅基CoolSiC™ MOSFET、匹配二极管和氮化镓CoolGaN™ E模式HEMT。可提供各种解决方案，从卓越的性价比到无与伦比的稳健性，再到同类最佳的器件。这使得客户能够构建更高效、环保和可持续的应用。

住宅储能系统 (ESS)

英飞凌住宅储能解决方案 (ESS) 提供各种产品，用于创建和管理弹性能源基础设施。英飞凌在能源生成、电力转换、传输和电池管理方面拥有专业经验，是推进能源存储解决方案的理想合作伙伴，特别是在效率、创新、性能和成本优化方面。

650V CoolSiC™ M1沟槽式功率MOSFET

英飞凌科技 650V CoolSiC ™ M1沟槽式功率MOSFET结合了碳化硅的优异物理特性和独特功能，从而提高了器件性能、可靠性和易用性。CoolSiC M1 MOSFET基于先进的沟槽半导体工艺，优化用于实现最低应用损耗和最高运行可靠性。这些器件适用于高温和恶劣环境，能够简化系统部署，降低成本，并实现最高的系统效率。

CoolSiC™ MOSFET 650V

Infineon Technologies CoolSiC™ MOSFET 650V将碳化硅的物理强度与增强器件性能、可靠性和易用性的特性相结合。CoolSiC™ MOSFET采用先进的沟槽半导体工艺，应用损耗极低，运行可靠性极高。CoolSiC非常适合在高温和恶劣环境应用中使用。

碳化硅CoolSiC™ MOSFET和二极管

英飞凌碳化硅CoolSiC™ MOSFET和二极管提供的产品组合可满足对更智能、更高效能量生成、传输和消耗的需求。CoolSiC产品组合可满足客户在中高功率系统中减小系统尺寸和降低成本的需求，同时满足最高质量标准，延长系统使用寿命并确保可靠性。凭借CoolSiC，客户将实现最严格的效率目标，同时降低操作系统成本。该产品组合包括CoolSiC肖特基二极管、CoolSiC混合模块、CoolSiC MOSFET模块和分立式器件，以及用于驱动碳化硅器件的EiceDRIVER™ 栅极驱动器IC。

CoolSiC™ MOSFET

英飞凌CoolSiC™ MOSFET采用先进的沟槽半导体工艺构建，经过优化，可实现最低的应用损耗和最高的运行可靠性。该款分立式CoolSiC产品组合采用TO和SMD外壳，有650V、1200V和1700V电压等级可供选择，额定导通电阻范围为27mΩ 至1000mΩ 。CoolSiC沟槽式技术可实现灵活的参数集，用于在各自的产品组合中实现特定应用的特性。这些特性包括栅极-源极电压、雪崩规格、短路能力或额定用于硬换向的内部体二极管。