SSM2212RZ-R7

Analog Devices
584-SSM2212RZ-R7
SSM2212RZ-R7

制造商：

说明：
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Low Noise,Matched Dual NPN Transistor

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SSM2212RZ
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Analog Devices Inc.
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
发货限制：
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RoHS:  
Si
SMD/SMT
SOIC-8
NPN
Dual
20 mA
40 V
40 V
50 mV
200 MHz
- 40 C
+ 85 C
SSM2212
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Analog Devices
直流集电极/Base Gain hfe Min: 300 at 1 mA, 200 at 10 uA
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量: 1000
子类别: Transistors
单位重量: 540 mg
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已选择的属性: 0

CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
854121000
KRHTS:
8541219000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
8541210100
ECCN:
EAR99

SSM2212 双通道 NPN 匹配晶体管

亚德诺半导体 SSM2212 是一款双通道 NPN 匹配晶体管对，专门针对超低噪声音频系统而设计。SSM2212 具有极低的输入基极扩展电阻（rbb' 典型值为 28Ω）和大电流增益（hFE 典型值超过 600，IC = 1mA 时），可以实现出色的信噪比。高电流增益使其与采用市面上现有的单芯片放大器的系统相比，拥有卓越的性能。出色的电流增益匹配（ΔhFE约为 0.5%）且 VOS 低于 10μV（典型值），使其成为对称平衡设计的理想选择，可抑制高阶放大器谐波失真。基极发射极结点处的保护二极管可以保证匹配参数的稳定性。这些二极管能够防止基极-发射极结点反向偏置导致 β 和匹配特性下降。SSM2212 还是可靠的精密电流偏置和镜像电路的理想选择。此外，当晶体管对之间的 VBE 不匹配时，电流镜的精度会呈指数级下降，因此，在多数电路应用中，SSM2212 的低 VOS 无需进行失调调整。
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