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IXSH65N120L2KHV

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Mouser编号：

747-IXSH65N120L2KHV

制造商编号：

IXSH65N120L2KHV

制造商：

IXYS

说明：

碳化硅MOSFET 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L

寿命周期:

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数据表:

IXSH65N120L2KHV 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	IXYS
产品种类:	碳化硅MOSFET
发货限制：	Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS:
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247-4L
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	1.2 kV
Id-连续漏极电流:	65 A
Rds On-漏源导通电阻:	52 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 5 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4.5 V
Qg-栅极电荷:	110 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	375 W
通道模式:	Enhancement
商标:	IXYS
配置:	Single
下降时间:	10.5 ns
封装:	Tube
产品:	MOSFETs
产品类型:	SiC MOSFETS
上升时间:	22.1 ns
工厂包装数量:	450
子类别:	Transistors
技术:	SiC
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	19.3 ns
典型接通延迟时间:	9.6 ns

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IXSxNxL2Kx碳化硅 (SiC) MOSFET

IXYS IXSxNxL2Kx碳化矽（SiC）MOSFET的高阻断电压与低导通电阻[_RDS(ON)]相结合。导通电阻在25mΩ和160mΩ之间，漏极连续电流（I_D）在20A和111A之间。这些器件具有高速开关特性、低电容，并具有超快速的内在二极管。这些器件的漏-源电压（V_DSS）额定值为650V或1200V。IXYS IXSxNxL2Kx碳化硅 (SiC) MOSFET采用三种封装（TO-263-7L、TOLL-8和TO-247-4L）供货。