LSIC1MO170E0750

IXYS
576-LSIC1MO170E0750
LSIC1MO170E0750

制造商：

说明：
碳化硅MOSFET TO247 1.7KV 4.4A N-CH SIC

数据表:
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¥-.--
总价:
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数量 单价
总价
¥68.6588 ¥68.66
¥40.2845 ¥402.85
¥34.239 ¥3,423.90
¥34.1599 ¥15,371.96
10,350 报价

产品属性 属性值 选择属性
IXYS
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
1.7 kV
6.2 A
1 Ohms
- 5 V, + 20 V
4 V
13 nC
- 55 C
+ 175 C
60 W
Enhancement
商标: IXYS
封装: Tube
产品类型: SiC MOSFETS
系列: LSIC1MO
工厂包装数量: 450
子类别: Transistors
技术: SiC
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已选择的属性: 0

数据表

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CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

LSIC1MO170E0750 N沟道SiC MOSFET

IXYS LSIC1MO170E0750是一款750mΩ n沟道碳化硅 (SiC) MOSFET，优化用于高压、高频和高效应用。低栅极电阻和超低导通电阻使其非常适合用于高频开关应用。该器件具有极低的栅极电荷和输出电容，并可在所有温度下保持常闭运行。IXYS LSIC1MO170E0750适合用于各种采用高频开关的应用，例如开关模式电源、太阳能逆变器、UPS系统、高压直流-直流转换器等。

碳化硅MOSFET

Littelfuse碳化硅MOSFET优化用于高频、高效率应用。这些坚固的碳化硅MOSFET采用TO-247-3L封装，具有超低导通电阻。Littelfuse提供内部设计、开发和制造的碳化硅MOSFET，这些器件具有极低的栅极电荷和输出电容，在所有温度范围内具有业界领先的性能和耐用性，还具有超低导通电阻。现可供应电压为1200V的80mΩ、120mΩ和160mΩ版本。

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