FS01MR08A8MA2CHPSA1

Name: Infineon FS01MR08A8MA2CHPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FS01MR08A8MA2CHP
Price: 8877.48 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

726-FS01MR08A8MA2CHP

制造商编号：

FS01MR08A8MA2CHPSA1

制造商：

Infineon Technologies

说明：

分立半导体模块 HybridPACK Drive G2 module with SiC MOSFET

寿命周期:

新产品:

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数据表:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	分立半导体模块
RoHS:
产品:	SiC MOSFET Modules
类型:	Bridge Power Module
技术:	SiC
Vf - 正向电压:	4.64 V
Vgs - 栅极-源极电压:	- 5 V, + 19 V
安装风格:	Press Fit
系列:	HybridPACK
封装:	Tray
商标:	Infineon Technologies
下降时间:	53 ns
Id-连续漏极电流:	620 A
产品类型:	Discrete Semiconductor Modules
Rds On-漏源导通电阻:	1.69 mOhms
上升时间:	108 ns
工厂包装数量:	6
子类别:	Discrete and Power Modules
典型关闭延迟时间:	318 ns
典型接通延迟时间:	128 ns
Vds-漏源极击穿电压:	750 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3.9 V
零件号别名:	FS01MR08A8MA2C SP006071563

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ECCN:: EAR99

HybridPACK™ Drive G2模块

英飞凌HybridPACK ™ Drive G2模块是一款紧凑型电源模块，设计用于混合动力汽车和电动汽车牵引。英飞凌G2模块采用Si或SiC技术以及不同芯片组，具有可扩展的性能水平，同时保持相同的模块尺寸。该模块于2017年推出，采用硅EDT2技术，优化用于提高实际驱动效率。2021年，推出CoolSiC™ 版本，带来更高的电池密度和更好的性能。2023年，第二代HybridPACK Drive G2上市，采用EDT3（Si IGBT）和CoolSiC™ G2 MOSFET技术，为传感器带来易用性和集成选项，在750V和1200V级别内可实现高达300kW的性能。