IGT65R025D2ATMA1

Infineon Technologies
726-IGT65R025D2ATMA1
IGT65R025D2ATMA1

制造商：

说明：
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5

寿命周期:
新产品:
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数据表:
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库存量: 267

库存：
267
可立即发货
在途量:
4,000
预期 2026/6/11
2,000
预期 2026/7/9
生产周期：
18
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按2000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥108.1975 ¥108.20
¥74.1958 ¥741.96
¥63.7772 ¥6,377.72
¥58.7261 ¥29,363.05
¥53.6863 ¥53,686.30
整卷卷轴（请按2000的倍数订购）
¥47.8894 ¥95,778.80
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: GaN 场效应晶体管
RoHS:  
SMD/SMT
PG-HSOF-8
HEMT
1 Channel
650 V
70 A
30 mOhms
- 10 V
1.6 V
11 nC
- 55 C
+ 150 C
236 W
Enhancement
CoolGaN
商标: Infineon Technologies
配置: Single
组装国: MY
扩散国家: AT
原产国: AT
下降时间: 9 ns
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
产品: Transistors
产品类型: GaN FETs
上升时间: 12 ns
系列: 650V G5
工厂包装数量: 2000
子类别: Transistors
技术: GaN
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: CoolGaN Transistor
典型关闭延迟时间: 18 ns
典型接通延迟时间: 11 ns
零件号别名: IGT65R025D2 SP006026239
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已选择的属性: 0

数据表

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

CoolGaN™ 650V G5晶体管

英飞凌CoolGaN™ 650V G5晶体管采用高效氮化镓 (GaN) 晶体管技术进行电源转换。650V G5系列可应对消费电子、数据中心、工业和太阳能应用的挑战。这些晶体管具有超快的开关能力，提高了系统效率和功率密度。CoolGaN技术提供分立和集成解决方案，旨在提高整体系统性能。英飞凌CoolGaN 650V G5晶体管可实现高工作频率并降低EMI评级。这些晶体管是配电、开关电源 (SMPS)、电信和其他工业应用的理想之选。

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