IMT65R033M2HXUMA1

Infineon Technologies
726-IMT65R033M2HXUMA
IMT65R033M2HXUMA1

制造商：

说明：
碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

寿命周期:
新产品:
此制造商的新产品。
数据表:
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库存量: 1,756

库存：
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最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥79.9023 ¥79.90
¥59.4719 ¥594.72
¥49.5505 ¥4,955.05
¥44.4203 ¥22,210.15
整卷卷轴（请按2000的倍数订购）
¥37.7194 ¥75,438.80

产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
SMD/SMT
HSOF-8
N-Channel
1 Channel
650 V
68 A
41 mOhms
- 7 V, + 23 V
5.6 V
34 nC
- 55 C
+ 175 C
312 W
Enhancement
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 4.8 ns
湿度敏感性: Yes
封装: Reel
封装: Cut Tape
产品: SiC MOSFETS
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 9.1 ns
工厂包装数量: 2000
子类别: Transistors
技术: SiC
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 15 ns
典型接通延迟时间: 8.8 ns
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

数据表

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

CoolSiC™ 650 V G2碳化硅MOSFET

英飞凌科技CoolSiC™ 650V G2碳化硅MOSFET利用 碳化硅的性能能力，降低能量损耗，从而在电源转换过程中实现更高的效率。 英飞凌CoolSiC 650V G2 MOSFET为光伏、储能、直流电动汽车充电、电机驱动器和工业电源等各种功率半导体应用带来优势。配备CoolSiC G2的电动汽车DC快速充电站与上一代产品相比，功率损耗可减少10%，同时在不影响外形因子的前提下，实现更高的充电容量。

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