IMZC120R007M2HXKSA1

Infineon Technologies
726-IMZC120R007M2HXK
IMZC120R007M2HXKSA1

制造商：

说明：
碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology

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最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥310.6822 ¥310.68
¥269.9005 ¥2,699.01
¥233.7518 ¥23,375.18
¥194.7103 ¥93,460.94

产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
Through Hole
PG-TO247-4-U07
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
201 A
20 mOhms
- 10 V, + 25 V
5.1 V
176 nC
- 55 C
+ 175 C
711 W
CoolSiC
商标: Infineon Technologies
配置: Enhancement
下降时间: 33.6 ns
正向跨导 - 最小值: 60 S
封装: Tube
产品: MOSFET
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 21.5 ns
系列: CoolSiC G2
工厂包装数量: 240
子类别: Transistors
技术: SiC
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: SiC MOSFET
典型关闭延迟时间: 76.3 ns
典型接通延迟时间: 32.4 ns
零件号别名: IMZC120R007M2H SP006031756
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已选择的属性: 0

数据表

ECCN:
EAR99

CoolSiC™ 1200V G2碳化矽MOSFET

英飞凌CoolSiC™ 1200V G2碳化矽MOSFET为电力电子设备应用提供高性能解决方案。这些MOSFET具有出色的电气特性，且开关损耗极低，可实现高效运行。该1200V G2 MOSFET设计适合过载条件，支持温度高达200°C的工作条件，并可承受长达2μs的短路。这些设备具有4.2V基准栅极阈值电压VGS(th)，可实现精确控制。CoolSiC MOSFET 1200V G2提供三种封装形式，在第一代技术优势的基础上进一步优化，面向更具成本效益、高效率、紧凑型、易于设计且可靠性更高的系统提供先进解决方案。第2代显著提高了硬/软开关拓扑的关键性能指标，非常适合所有常见的DC-DC、AC-DC和DC-AC级组合。

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