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现货

RoHS

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CGH40025F

MACOM

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请参阅产品规格

Mouser编号：

941-CGH40025F

制造商编号：

CGH40025F

制造商：

MACOM

说明：

GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 25 Watt

数据表:

CGH40025F 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	MACOM
产品种类:	GaN 场效应晶体管
RoHS:
安装风格:	Screw Mount
封装 / 箱体:	440166
晶体管极性:	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:	120 V
Id-连续漏极电流:	3 A
Vgs th-栅源极阈值电压:	- 3 V
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 150 C
最大工作频率:	6 GHz
最小工作频率:	2 GHz
技术:	GaN
商标:	MACOM
配置:	Single
开发套件:	CGH40025F-TB
增益:	15 dB
输出功率:	30 W
封装:	Tray
产品:	GaN HEMTs
产品类型:	GaN FETs
工厂包装数量:	40
子类别:	Transistors
晶体管类型:	GaN HEMT
Vgs-栅源极击穿电压 :	- 10 V to 2 V
单位重量:	18.490 g

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数据表

CGH40025F 数据表 (PDF)

PCN

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 美国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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库存量: 626

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在途量:: 440

预期 2026/10/13
生产周期：: 26

周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

此产品免运费

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥2,013.5696	¥2,013.57
	¥1,723.137	¥17,231.37
	¥1,620.1262	¥40,503.16