CGH40120F

MACOM
941-CGH40120F
CGH40120F

制造商：

说明：
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-2.5GHz, 120 Watt

数据表:
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产品属性 属性值 选择属性
MACOM
产品种类: GaN 场效应晶体管
RoHS:  
Screw Mount
440193
N-Channel
120 V
12 A
- 3 V
- 40 C
+ 150 C
商标: MACOM
配置: Single
开发套件: CGH40120F-TB
增益: 19 dB
最大工作频率: 2.5 GHz
最小工作频率: 1 GHz
输出功率: 120 W
封装: Tray
产品: GaN HEMTs
产品类型: GaN FETs
工厂包装数量: 25
子类别: Transistors
技术: GaN
晶体管类型: GaN HEMT
Vgs-栅源极击穿电压 : - 10 V to 2 V
单位重量: 30.467 g
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合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
美国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

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库存量: 2

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2
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预期 2026/8/12
25
预期 2026/9/16
生产周期：
26
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
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