CGH60030D-GP4

Name: MACOM CGH60030D-GP4
Brand: MACOM
SKU: 941-CGH60030D
Price: 958.52 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

941-CGH60030D

制造商编号：

CGH60030D-GP4

制造商：

MACOM

说明：

GaN 场效应晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 30 Watt

数据表:

CGH60030D-GP4 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	MACOM
产品种类:	GaN 场效应晶体管
RoHS:
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	Die
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	2 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	120 V
Id-连续漏极电流:	3 A
Rds On-漏源导通电阻:	500 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:	- 3 V
最大工作频率:	6 GHz
最小工作频率:	4 GHz
技术:	GaN
商标:	MACOM
配置:	Dual
增益:	15 dB
输出功率:	30 W
封装:	Waffle
产品:	GaN HEMTs
产品类型:	GaN FETs
工厂包装数量:	10
子类别:	Transistors
晶体管类型:	GaN HEMT
Vgs-栅源极击穿电压 :	- 10 V to 2 V
单位重量:	7.326 g

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已选择的属性: 0

                        
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