CGH60120D-GP4

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Mouser编号：

941-CGH60120D

制造商编号：

CGH60120D-GP4

制造商：

MACOM

说明：

GaN 场效应晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 120 Watt

数据表:

CGH60120D-GP4 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	MACOM
产品种类:	GaN 场效应晶体管
发货限制：	Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS:
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	Die
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	8 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	120 V
Id-连续漏极电流:	12 A
Rds On-漏源导通电阻:	100 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:	- 3 V
最大工作频率:	6 GHz
最小工作频率:	4 GHz
技术:	GaN
商标:	MACOM
增益:	13 dB
输出功率:	120 W
封装:	Waffle
产品:	GaN HEMTs
产品类型:	GaN FETs
工厂包装数量:	10
子类别:	Transistors
晶体管类型:	GaN HEMT
Vgs-栅源极击穿电压 :	- 10 V to 2 V

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