CGHV35150F

MACOM
941-CGHV35150F
CGHV35150F

制造商：

说明：
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 2.9-3.5GHz, 150 Watt

数据表:
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MACOM
产品种类: GaN 场效应晶体管
发货限制：
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RoHS:  
Screw Mount
440193
N-Channel
150 V
12 A
- 3 V
- 40 C
+ 150 C
3.5 GHz
3.1 GHz
GaN
商标: MACOM
配置: Single
开发套件: CGHV35150-TB
增益: 13.3 dB
输出功率: 170 W
封装: Tray
产品: GaN HEMTs
产品类型: GaN FETs
工厂包装数量: 20
子类别: Transistors
晶体管类型: GaN HEMT
Vgs-栅源极击穿电压 : - 10 V to 2 V
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已选择的属性: 0

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合规代码
CNHTS:
8542319090
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
854239099
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8542399000
MXHTS:
8542399901
ECCN:
3A001.b.3.a.3
原产地分类
原产国:
美国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

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库存量: 17

库存：
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生产周期：
26 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
数量大于17的订购须受最低订购要求的限制。
最少： 1   倍数： 1
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预估关税:
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