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RoHS

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CGHV40030F

MACOM

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请参阅产品规格

Mouser编号：

941-CGHV40030F

制造商编号：

CGHV40030F

制造商：

MACOM

说明：

GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt

数据表:

CGHV40030F 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	MACOM
产品种类:	GaN 场效应晶体管
RoHS:
安装风格:	Screw Mount
封装 / 箱体:	440166
晶体管极性:	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:	100 V
Id-连续漏极电流:	4.2 A
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.3 V
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 150 C
最大工作频率:	1.4 GHz
最小工作频率:	960 MHz
技术:	GaN
商标:	MACOM
配置:	Single
开发套件:	CGHV40030-TB1
增益:	16 dB
输出功率:	30 W
封装:	Tray
产品:	GaN HEMTs
产品类型:	GaN FETs
工厂包装数量:	50
子类别:	Transistors
晶体管类型:	GaN HEMT
Vgs-栅源极击穿电压 :	2.6 V
单位重量:	7.396 g

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数据表

CGHV40030F 数据表 (PDF)

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 美国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 美国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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库存量: 608

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生产周期：: 26 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

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最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

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数量	单价	总价
	¥2,174.0748	¥2,174.07
	¥1,864.0932	¥18,640.93
	¥1,824.3285	¥45,608.21