CGHV40030F

MACOM
941-CGHV40030F
CGHV40030F

制造商：

说明：
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt

数据表:
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产品属性 属性值 选择属性
MACOM
产品种类: GaN 场效应晶体管
RoHS:  
Screw Mount
440166
N-Channel
100 V
4.2 A
2.3 V
- 40 C
+ 150 C
1.4 GHz
960 MHz
GaN
商标: MACOM
配置: Single
开发套件: CGHV40030-TB1
增益: 16 dB
输出功率: 30 W
封装: Tray
产品: GaN HEMTs
产品类型: GaN FETs
工厂包装数量: 50
子类别: Transistors
晶体管类型: GaN HEMT
Vgs-栅源极击穿电压 : 2.6 V
单位重量: 7.396 g
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已选择的属性: 0

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合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
美国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
美国
发货时，国家/地区可能会发生变化。

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库存量: 358

库存：
358
可立即发货
在途量:
250
预期 2026/8/28
生产周期：
26
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
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