您似乎禁用了您浏览器中的JavaScript功能。本网页上的某些功能需要登录后才能使用。

GTRA214602FC-V1-R2

Name: MACOM GTRA214602FC-V1-R2
Brand: MACOM
SKU: 941-GTRA214602FCV1R2
Price: 1478.17 RMB
Availability: OutOfStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

941-GTRA214602FCV1R2

制造商编号：

GTRA214602FC-V1-R2

制造商：

MACOM

说明：

GaN 场效应晶体管 490W, GaN HEMT, 48V, 2110-2200MHz, 248pp

数据表:

GTRA214602FC-V1-R2 数据表 (PDF)

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

供货情况

库存：: 无库存

出现意外错误。请稍候重试。
生产周期：: 请求交付报价

输入数量：

最少： 250 倍数： 250

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
整卷卷轴（请按250的倍数订购）
	¥1,670.3321	¥417,583.03
500	报价

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	MACOM
产品种类:	GaN 场效应晶体管
RoHS:
商标:	MACOM
封装:	Reel
产品类型:	GaN FETs
工厂包装数量:	250
子类别:	Transistors
技术:	GaN
晶体管类型:	GaN HEMT

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

GTRA214602FC-V1-R2 数据表 (PDF)

PCN

Product Change Notification 2024-04-25 (PDF)

此功能要求启用JavaScript。

合规代码

USHTS:: 8541290055
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 美国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

特色产品

MACOM

GaN on SiC Transistors

Next-generation RF power transistors that deliver industry-leading gain, efficiency, and power.

了解更多的信息

CGHV31500F1 2.7GHz to 3.1GHz, 500W GaN HEMT

Offers high efficiency and high gain designed explicitly for the 2.7GHz to 3.1GHz S-Band radar band.

了解更多的信息

CGHV35400F 400W 50Ω I/O Matched GaN HEMT

Offers high efficiency, high gain, and vast bandwidth capabilities.

了解更多的信息

CGHV38375F 400W IM GaN on SiC Transistor

400W HPA matched to 50Ω at both input and output ports., 2.75GHz to 3.75GHz frequency.

了解更多的信息

5G射频JFET和LDMOS FET

散热增强型大功率晶体管，用于下一代无线传输。

了解更多的信息

GTRA214602FC-V1-R2

制造商： MACOM

说明： GaN 场效应晶体管 490W, GaN HEMT, 48V, 2110-2200MHz, 248pp

供货情况

定价 (含13% 增值税)

规格

文件 (2)

数据表

PCN

环境文件

产品与贸易合规

特色产品 MACOM

快速查看

出现意外错误。

制造商：

MACOM

说明：

GaN 场效应晶体管 490W, GaN HEMT, 48V, 2110-2200MHz, 248pp

特色产品

MACOM