GTRA362802FC-V1-R0

MACOM
941-GTRA362802FCV1R0
GTRA362802FC-V1-R0

制造商:

说明:
GaN 场效应晶体管 280W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz

ECAD模型:
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库存量: 30

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最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
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封装:
整卷卷轴(请按50的倍数订购)

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™
¥2,126.2984 ¥2,126.30
¥1,499.4083 ¥14,994.08
整卷卷轴(请按50的倍数订购)
¥1,499.4083 ¥74,970.42
100 报价
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。

产品属性 属性值 选择属性
MACOM
产品种类: GaN 场效应晶体管
发货限制:
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RoHS:  
Screw Mount
H-37248C-4
N-Channel
125 V
5.4 A
+ 225 C
商标: MACOM
增益: 13.5 dB
最大工作频率: 3.6 GHz
最小工作频率: 3.4 GHz
输出功率: 280 W
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
产品类型: GaN FETs
工厂包装数量: 50
子类别: Transistors
技术: GaN
晶体管类型: GaN HEMT
Vgs-栅源极击穿电压 : - 10 V to 2 V
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已选择的属性: 0

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USHTS:
8541290055
ECCN:
3A001.b.3.a

5G射频JFET和LDMOS FET

MACOM 5G射频结型场效应晶体管(JFET)和横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS) FET是散热增强型大功率晶体管,用于下一代无线传输。这些器件采用碳化硅基氮化镓高电子迁移率晶体管 (HEMT) 技术、输入匹配、高效率以及带无耳法兰的散热增强型表面贴装封装。MACOM 5G射频JFET和LDMOS FET非常适合用于多标准蜂窝功率放大器应用。