|
|
GaN 场效应晶体管 GAN140-650EBE/SOT8074/DFN8080-
- GAN140-650EBEZ
- Nexperia
-
1:
¥55.8333
-
1,728库存量
|
Mouser 零件编号
771-GAN140-650EBEZ
|
Nexperia
|
GaN 场效应晶体管 GAN140-650EBE/SOT8074/DFN8080-
|
|
1,728库存量
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
2,500
|
|
|
SMD/SMT
|
DFN-8080-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
17 A
|
140 mOhms
|
|
|
1.2 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
113 W
|
Enhancement
|
|
|
|
|
GaN
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 45 Watt
- CG2H40045F
- MACOM
-
1:
¥3,865.8656
-
778库存量
|
Mouser 零件编号
941-CG2H40045F
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 45 Watt
|
|
778库存量
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
Screw Mount
|
440193
|
N-Channel
|
|
120 V
|
6 A
|
|
|
- 3.8 V
|
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
|
|
|
|
4 GHz
|
0 Hz
|
GaN
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-18GHz, 6 Watt
- CGHV1F006S
- MACOM
-
1:
¥744.8621
-
711库存量
|
Mouser 零件编号
941-CGHV1F006S
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-18GHz, 6 Watt
|
|
711库存量
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
250
|
|
|
SMD/SMT
|
DFN-12
|
N-Channel
|
|
100 V
|
950 mA
|
|
|
- 3 V
|
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
|
|
|
|
18 GHz
|
0 Hz
|
GaN
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 4-6GHz 5W 32Volt P3dB 38.4 dBm GaN
- TGF3020-SM
- Qorvo
-
1:
¥696.645
-
40库存量
|
Mouser 零件编号
772-TGF3020-SM
|
Qorvo
|
GaN 场效应晶体管 4-6GHz 5W 32Volt P3dB 38.4 dBm GaN
|
|
40库存量
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
SMD/SMT
|
QFN-16
|
|
|
32 V
|
250 mA
|
|
|
|
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
|
|
|
|
6 GHz
|
4 GHz
|
GaN-on-SiC
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 DC-6.0GHz 18 Watt 28V GaN
- T2G6001528-Q3
- Qorvo
-
1:
¥1,669.8123
-
123库存量
|
Mouser 零件编号
772-T2G6001528-Q3
|
Qorvo
|
GaN 场效应晶体管 DC-6.0GHz 18 Watt 28V GaN
|
|
123库存量
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
NI-200
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
6 GHz
|
0 Hz
|
GaN
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT VHF-3.0GHz, 15 Watt
- CGH27015F
- MACOM
-
1:
¥1,151.2214
-
101库存量
|
Mouser 零件编号
941-CGH27015F
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT VHF-3.0GHz, 15 Watt
|
|
101库存量
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
Screw Mount
|
440166
|
N-Channel
|
|
120 V
|
3.5 A
|
|
|
- 3 V
|
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
14 W
|
|
|
|
2.7 GHz
|
30 MHz
|
GaN
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt
- CGH27030S
- MACOM
-
1:
¥816.2329
-
140库存量
|
Mouser 零件编号
941-CGH27030S
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt
|
|
140库存量
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
250
|
|
|
SMD/SMT
|
|
N-Channel
|
|
84 V
|
7 A
|
|
|
- 3.8 V
|
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
21.6 W
|
|
|
|
2.7 GHz
|
0 Hz
|
GaN
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 750W,65V,Pre-matched,1.2-1.4GHz,Earl
- QPD1028
- Qorvo
-
1:
¥19,236.4646
-
11库存量
|
Mouser 零件编号
772-QPD1028
|
Qorvo
|
GaN 场效应晶体管 750W,65V,Pre-matched,1.2-1.4GHz,Earl
|
|
11库存量
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
SMD/SMT
|
NI-780
|
|
|
65 V
|
19 A
|
|
|
|
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
400 W
|
|
|
|
|
|
GaN SiC
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 DC-3.6GHz GaN 90W 48V
- QPD0060
- Qorvo
-
1:
¥1,202.9754
-
130库存量
|
Mouser 零件编号
772-QPD0060
|
Qorvo
|
GaN 场效应晶体管 DC-3.6GHz GaN 90W 48V
|
|
130库存量
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
100
|
|
|
SMD/SMT
|
DFN-6
|
|
|
48 V
|
|
|
|
|
|
- 40 C
|
|
|
|
|
|
3.8 GHz
|
1.8 GHz
|
GaN
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 DC-4GHz 10W 28-50V SSG 25dB PAE 70% GaN
- QPD1010
- Qorvo
-
1:
¥525.9811
-
82库存量
|
Mouser 零件编号
772-QPD1010
|
Qorvo
|
GaN 场效应晶体管 DC-4GHz 10W 28-50V SSG 25dB PAE 70% GaN
|
|
82库存量
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
SMD/SMT
|
QFN-16
|
N-Channel
|
|
50 V
|
400 mA
|
|
|
- 2.8 V
|
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
13.5 W
|
|
|
|
4 GHz
|
0 Hz
|
GaN
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt
- CGH40006S
- MACOM
-
1:
¥502.2511
-
49库存量
-
3,600在途量
|
Mouser 零件编号
941-CGH40006S
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt
|
|
49库存量
3,600在途量
在途量:
800 预期 2026/10/23
1,000 预期 2026/10/26
1,800 预期 2026/12/25
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
200
|
|
|
SMD/SMT
|
QFN-6
|
N-Channel
|
|
120 V
|
750 mA
|
|
|
- 3 V
|
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
|
|
|
|
6 GHz
|
2 GHz
|
GaN
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 LEGACY GAN SYSTEMS
- GS-065-011-2-L-TR
- Infineon Technologies
-
1:
¥52.8501
-
3,009库存量
-
寿命结束
|
Mouser 零件编号
499-GS-065-011-2-LTR
寿命结束
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 LEGACY GAN SYSTEMS
|
|
3,009库存量
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
3,000
|
|
|
SMD/SMT
|
PDFN-6
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
11 A
|
150 mOhms
|
- 10 V, + 7 V
|
1.5 V
|
2 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
|
Enhancement
|
|
|
1 MHz
|
0 Hz
|
GaN-on-Si
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 LEGACY GAN SYSTEMS
- GS-065-011-1-L-MR
- Infineon Technologies
-
1:
¥47.7312
-
2,437库存量
-
寿命结束
|
Mouser 零件编号
499-GS-065-011-1-L
寿命结束
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 LEGACY GAN SYSTEMS
|
|
2,437库存量
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
250
|
|
|
SMD/SMT
|
PDFN-6
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
11 A
|
150 mOhms
|
- 10 V, + 7 V
|
1.5 V
|
2 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
|
Enhancement
|
|
|
1 MHz
|
0 Hz
|
GaN-on-Si
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 Unmatched Discrete GaN-on-SiC HEMT 30W PSAT at 50V or 19W PSAT at 28V
- GRF0020
- Guerrilla RF
-
1:
¥1,312.5402
-
25库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
459-GRF0020
新产品
|
Guerrilla RF
|
GaN 场效应晶体管 Unmatched Discrete GaN-on-SiC HEMT 30W PSAT at 50V or 19W PSAT at 28V
|
|
25库存量
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
50
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN
- TP65H480G4JSG-TR
- Renesas Electronics
-
1:
¥17.9444
-
1,475库存量
|
Mouser 零件编号
227-TP65H480G4JSG-TR
|
Renesas Electronics
|
GaN 场效应晶体管 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN
|
|
1,475库存量
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
4,000
|
|
|
SMD/SMT
|
PQFN-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
3.6 A
|
560 mOhms
|
- 18 V, + 18 V
|
2.8 V
|
9 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
13.2 W
|
Enhancement
|
|
SuperGaN
|
|
|
GaN
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 50V 1.2-1.4GHz 600W
- GTVA126001EC-V1-R0
- MACOM
-
1:
¥9,979.0074
-
9库存量
|
Mouser 零件编号
941-GTVA126001ECV1R0
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 50V 1.2-1.4GHz 600W
|
|
9库存量
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
50
|
|
|
Screw Mount
|
H-36248-2
|
N-Channel
|
|
150 V
|
10 A
|
|
|
- 3 V
|
|
|
|
|
|
|
|
1.4 GHz
|
1.2 GHz
|
GaN
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN
- QPD1015
- Qorvo
-
1:
¥2,969.6287
-
4库存量
-
25预期 2026/11/17
|
Mouser 零件编号
772-QPD1015
|
Qorvo
|
GaN 场效应晶体管 DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN
|
|
4库存量
25预期 2026/11/17
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
SMD/SMT
|
NI-360
|
N-Channel
|
|
50 V
|
2.5 A
|
|
|
- 2.8 V
|
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
64 W
|
|
|
|
3.7 GHz
|
0 Hz
|
GaN
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 5.5-5.8GHz, 30 Watt
- CGH55030F1
- MACOM
-
1:
¥2,082.9742
-
18库存量
-
工厂特别订单
|
Mouser 零件编号
941-CGH55030F1
工厂特别订单
|
MACOM
|
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 5.5-5.8GHz, 30 Watt
|
|
18库存量
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
GaN
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 100V 5m LV GaN FET in 3x3 RQFN
- RTP100E005G1FL-TR
- Renesas Electronics
-
1:
¥28.2048
-
2,100库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
227-RTP100E005G1FLTR
新产品
|
Renesas Electronics
|
GaN 场效应晶体管 100V 5m LV GaN FET in 3x3 RQFN
|
|
2,100库存量
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
3,000
|
|
|
|
|
|
|
100 V
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
REXGaN
|
|
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 100V 2.6m LV GaN FET in 5x6 RQFN
- RTP100E2P6G1FL-TR
- Renesas Electronics
-
1:
¥41.6857
-
2,100库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
227-RTP100E2P6G1FLTR
新产品
|
Renesas Electronics
|
GaN 场效应晶体管 100V 2.6m LV GaN FET in 5x6 RQFN
|
|
2,100库存量
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
3,000
|
|
|
|
|
|
|
100 V
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
REXGaN
|
|
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 100 V G3 in WLCSP 0.9x0.9, 185 m
- IGKA23S101SXTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥18.1139
-
3,900库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGKA23S101SXTSA1
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 100 V G3 in WLCSP 0.9x0.9, 185 m
|
|
3,900库存量
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
4,000
|
|
|
SMD/SMT
|
SG-UFWLB-4
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
2.2 A
|
230 mOhms
|
6.5 V
|
2.9 V
|
0.2 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
2.2 W
|
Enhancement
|
|
CoolGaN
|
|
|
GaN
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 RedesignofQPD1004
- QPD1004ASR
- Qorvo
-
1:
¥1,156.1708
-
42库存量
-
100预期 2027/1/14
-
新产品
|
Mouser 零件编号
772-QPD1004ASR
新产品
|
Qorvo
|
GaN 场效应晶体管 RedesignofQPD1004
|
|
42库存量
100预期 2027/1/14
|
|
最低： 1
倍数： 1
最大： 25
:
100
|
|
|
SMD/SMT
|
DFN-8
|
|
2 Channel
|
145 V
|
3.6 A
|
|
- 7 V, 2 V
|
|
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
27.6 W
|
|
|
|
1.4 GHz
|
30 MHz
|
SiC
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 RedesignofQPD1011
- QPD1011ASR
- Qorvo
-
1:
¥566.1865
-
90库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
772-QPD1011ASR
新产品
|
Qorvo
|
GaN 场效应晶体管 RedesignofQPD1011
|
|
90库存量
|
|
最低： 1
倍数： 1
最大： 25
:
100
|
|
|
SMD/SMT
|
DFN-8
|
|
2 Channel
|
145 V
|
1.46 A
|
|
- 7 V, 2 V
|
|
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
14.7 W
|
|
|
|
1.2 GHz
|
30 MHz
|
SiC
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 RedesignofQPD1014
- QPD1014ASR
- Qorvo
-
1:
¥686.0456
-
90库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
772-QPD1014ASR
新产品
|
Qorvo
|
GaN 场效应晶体管 RedesignofQPD1014
|
|
90库存量
|
|
最低： 1
倍数： 1
最大： 25
:
100
|
|
|
SMD/SMT
|
DFN-8
|
|
2 Channel
|
145 V
|
1 A
|
|
- 8 V, 2 V
|
|
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
15.8 W
|
|
|
|
1.2 GHz
|
30 MHz
|
SiC
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 1-1.5GHz,300W,NI-650
- QPD2560L
- Qorvo
-
1:
¥6,775.6495
-
4库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
772-QPD2560L
新产品
|
Qorvo
|
GaN 场效应晶体管 1-1.5GHz,300W,NI-650
|
|
4库存量
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
NI-650
|
|
|
|
33 A
|
|
- 2.8 V
|
|
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
285 W
|
|
|
|
1.5 GHz
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1 GHz
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GaN, SiC
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