GaN 场效应晶体管

 GaN 场效应晶体管
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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 资格 商标名
STMicroelectronics GaN 场效应晶体管 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor 693库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 11.5 A 190 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement
STMicroelectronics GaN 场效应晶体管 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor 637库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 17 A 140 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement
STMicroelectronics GaN 场效应晶体管 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor 693库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 10 A 240 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 2 nC - 55 C + 150 C 76 W Enhancement
onsemi GaN 场效应晶体管 GaN FET, 700V, 132m, DPAK 2,500库存量
最低: 1
倍数: 1
: 250

SMD/SMT PDSO-E3 N-Channel 1 Channel 700 V 12 A 170 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 2.1 nC - 55 C + 150 C 64 W Enhancement GaNEXUS
Nexperia GaN 场效应晶体管 GAN140-650EBE/SOT8074/DFN8080- 1,908库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 140 mOhms 1.2 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement
Qorvo GaN 场效应晶体管 750W, 65V, Pre-matched, 1.2-1.4GHz, Earl 11库存量
最低: 1
倍数: 1

SMD/SMT NI-780 65 V 19 A - 40 C + 85 C 400 W
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 8 Watt 600库存量
最低: 10
倍数: 10

SMD/SMT Die N-Channel 120 V 750 mA 1.6 Ohms - 3 V
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 309库存量
最低: 1
倍数: 1

Screw Mount 440223 N-Channel 125 V 18 A - 3.8 V - 40 C + 150 C 150 W
Guerrilla RF GaN 场效应晶体管 Unmatched Discrete GaN-on-SiC HEMT 30W PSAT at 50V or 19W PSAT at 28V 27库存量
最低: 1
倍数: 1
: 50
Qorvo GaN 场效应晶体管 DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN 21库存量
最低: 1
倍数: 1

SMD/SMT NI-360 N-Channel 50 V 2.5 A - 2.8 V - 40 C + 85 C 64 W
Qorvo GaN 场效应晶体管 DC-2.7 GHz, 150W, 65V GaN RF Tr 12库存量
100预期 2026/11/11
最低: 1
倍数: 1
: 100

Qorvo GaN 场效应晶体管 DC-6.0GHz 18 Watt 28V GaN 118库存量
最低: 1
倍数: 1

NI-200
Qorvo GaN 场效应晶体管 0.03-4.0 GHz, 30W, 32V GaN RF Tr 29库存量
最低: 1
倍数: 1

SMD/SMT QFN-20 32 V 1.8 A
Renesas Electronics GaN 场效应晶体管 650V, 50mohm GaN FET in TO247-3L 688库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 60 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 24 nC - 55 C + 150 C 119 W Enhancement
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT Die DC-8.0GHz, 30 Watt 30库存量
最低: 10
倍数: 10

SMD/SMT Die N-Channel 120 V 3 A 410 mOhms - 3 V + 225 C
Qorvo GaN 场效应晶体管 4-6GHz 5W 32Volt P3dB 38.4 dBm GaN 40库存量
最低: 1
倍数: 1

SMD/SMT QFN-16 32 V 250 mA - 40 C + 85 C
Qorvo GaN 场效应晶体管 DC-1.7 GHz, 500W, 50V, GaN RF Tr 22库存量
最低: 1
倍数: 1

SMD/SMT NI780-2 N-Channel 145 V 70 A - 40 C + 85 C 714 W
Qorvo GaN 场效应晶体管 DC-18GHZ 12W TQGaN25 PAE 73.3% Gain 21dB 100库存量
最低: 100
倍数: 100

Die N-Channel
STMicroelectronics GaN 场效应晶体管 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor 689库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 21.7 A 105 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 4.8 nC - 55 C + 150 C 158 W Enhancement
Qorvo GaN 场效应晶体管 1-1.5 GHz, 300W, NI-650 3库存量
最低: 1
倍数: 1

NI-650 33 A - 2.8 V - 40 C + 85 C 285 W
onsemi GaN 场效应晶体管 GaN FET, 700V,101m, 8x8 2,500库存量
最低: 1
倍数: 1
: 250

SMD/SMT DFN-9 N-Channel 1 Channel 700 V 16 A 130 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 2.65 nC - 55 C + 150 C 84 W Enhancement GaNEXUS
Qorvo GaN 场效应晶体管 DC-3.6GHz GaN 90W 48V 11库存量
100预期 2026/8/18
最低: 1
倍数: 1
: 100

SMD/SMT DFN-6 48 V - 40 C
Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 LEGACY GAN SYSTEMS 3,081库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

SMD/SMT PDFN-6 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 150 mOhms - 10 V, + 7 V 1.5 V 2 nC - 40 C + 150 C Enhancement
Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 LEGACY GAN SYSTEMS 2,537库存量
最低: 1
倍数: 1
: 250

SMD/SMT PDFN-6 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 150 mOhms - 10 V, + 7 V 1.5 V 2 nC - 40 C + 150 C Enhancement
Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 LEGACY GAN SYSTEMS 2,083库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

SMD/SMT PDFN-6 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 150 mOhms - 10 V, + 7 V 1.5 V 2 nC - 40 C + 150 C Enhancement