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GTRB226002FC-V1-R2

Name: MACOM GTRB226002FC-V1-R2
Brand: MACOM
SKU: 941-GTRB226002FCV1R2
Price: 1154.07 RMB
Availability: OutOfStock

Mouser编号：

941-GTRB226002FCV1R2

制造商编号：

GTRB226002FC-V1-R2

制造商：

MACOM

说明：

GaN 场效应晶体管 450W, 48V, 2110-2200 MHz GaN-SiC HEMT

数据表:

GTRB226002FC-V1-R2 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	MACOM
产品种类:	GaN 场效应晶体管
RoHS:
商标:	MACOM
封装:	Reel
产品类型:	GaN FETs
工厂包装数量:	250
子类别:	Transistors
技术:	GaN-on-SiC
晶体管类型:	GaN HEMT

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已选择的属性: 0

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数据表

GTRB226002FC-V1-R2 数据表 (PDF)

PCN

Product Change Notification 2024-04-25 (PDF)

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合规代码

USHTS:: 8541290055
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 马来西亚
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

特色产品

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供货情况

库存：: 无库存

出现意外错误。请稍候重试。
生产周期：: 请求交付报价

输入数量：

最少： 250 倍数： 250

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
整卷卷轴（请按250的倍数订购）
	¥1,304.0991	¥326,024.78
500	报价

GTRB226002FC-V1-R2

制造商： MACOM

说明： GaN 场效应晶体管 450W, 48V, 2110-2200 MHz GaN-SiC HEMT

规格

文件 (2)

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环境文件

产品与贸易合规

特色产品 MACOM

供货情况

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制造商：

MACOM

说明：

GaN 场效应晶体管 450W, 48V, 2110-2200 MHz GaN-SiC HEMT

特色产品

MACOM