Name: MACOM NPT1012B
Brand: MACOM
SKU: 937-NPT1012B
Price: 1628.77 RMB
Availability: InStock

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	MACOM
产品种类:	GaN 场效应晶体管
RoHS:
安装风格:	Screw Mount
晶体管极性:	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:	100 V
Id-连续漏极电流:	4 mA
Rds On-漏源导通电阻:	440 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:	- 1.8 V
最大工作温度:	+ 200 C
Pd-功率耗散:	44 W
商标:	MACOM
配置:	Single
增益:	13 dB
最大工作频率:	4 GHz
封装:	Tray
产品类型:	GaN FETs
工厂包装数量:	30
子类别:	Transistors
技术:	GaN
晶体管类型:	GaN HEMT
Vgs-栅源极击穿电压 :	3 V
单位重量:	220 mg

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合规代码

CNHTS:: 8504409190
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 泰国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

NPTx Series GaN Wideband Transistor

MACOM NPTx Series GaN Wideband Transistor is a wideband transistor optimized for DC-2GHz operation. This transistor supports CW, pulsed, and linear operations with output power levels of 100W (50dBm) in an industry-standard plastic package. The NPTx transistors are ideally suited for defense communications, land mobile radio, avionics, wireless infrastructure, ISM applications, and VHF/UHF/L/S-band radar.