PTRA095908NB-V1-R2
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941-PTRA095908NBV1R2
PTRA095908NB-V1-R2
制造商:
说明:
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 520W, Si LDMOS, 48V, 925-960MHz, TO275
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 520W, Si LDMOS, 48V, 925-960MHz, TO275
合规代码
- USHTS:
- 8541290055
- TARIC:
- 8541290000
- ECCN:
- EAR99
原产地分类
- 原产国:
- 马来西亚
- 组装原产国/地区:
- 不可用
- 扩散国家:
- 不可用
中国
