PTRA097058NB-V1-R2
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941-PTRA097058NBV1R2
PTRA097058NB-V1-R2
制造商:
说明:
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 850W, Si LDMOS 48V, 730-960 MHz, TO288
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 850W, Si LDMOS 48V, 730-960 MHz, TO288
合规代码
- USHTS:
- 8541290055
- TARIC:
- 8541290000
- ECCN:
- EAR99
原产地分类
- 原产国:
- 马来西亚
- 组装原产国/地区:
- 不可用
- 扩散国家:
- 不可用
中国
