PXAE213708NB-V1-R2
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941-PXAE213708NBV1R2
PXAE213708NB-V1-R2
制造商:
说明:
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 370W Si LDMOS 28V 2100 to 2170MHz
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 370W Si LDMOS 28V 2100 to 2170MHz
寿命周期:
停产
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供货情况
-
库存:
-
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合规代码
- USHTS:
- 8541290055
- TARIC:
- 8541290000
- ECCN:
- EAR99
原产地分类
- 原产国:
- 马来西亚
- 组装原产国/地区:
- 不可用
- 扩散国家:
- 不可用
中国
