PXAE261908NF-V1-R5
941-PXAE261908NFV1R5
PXAE261908NF-V1-R5
制造商：
说明：
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 240W, SiLDMOS, 28V, 2615-2515-2675 MHz
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 240W, SiLDMOS, 28V, 2615-2515-2675 MHz
寿命周期:
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合规代码
- USHTS:
- 8541290055
- TARIC:
- 8541290000
- ECCN:
- EAR99
原产地分类
- 原产国:
- 马来西亚
- 组装原产国/地区:
- 不可用
- 扩散国家:
- 不可用
供货情况
-
库存：
-
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