PXAE263708NB-V1-R2
图像仅供参考
请参阅产品规格
请参阅产品规格
941-PXAE263708NBV1R2
PXAE263708NB-V1-R2
制造商:
说明:
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz
合规代码
- CNHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290055
- TARIC:
- 8541290000
- ECCN:
- EAR99
原产地分类
- 原产国:
- 马来西亚
- 组装原产国/地区:
- 不可用
- 扩散国家:
- 不可用
中国
