MSC025SMA120B4N

Microchip Technology
579-MSC025SMA120B4N
MSC025SMA120B4N

制造商：

说明：
碳化硅MOSFET MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247-4 Notch

寿命周期:
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¥-.--
总价:
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数量 单价
总价
¥243.0178 ¥243.02

产品属性 属性值 选择属性
Microchip
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
113 A
31 mOhms
- 10 V, + 23 V
5 V
232 nC
- 55 C
+ 175 C
577 W
Enhancement
商标: Microchip Technology
配置: Single
下降时间: 16 ns
封装: Tube
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 23 ns
工厂包装数量: 30
子类别: Transistors
技术: SiC
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 39 ns
典型接通延迟时间: 17 ns
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已选择的属性: 0

数据表

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合规代码
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

碳化硅 (SiC) MOSFET

与传统的硅 (Si) 功率MOSFET相比，Microchip Technology的碳化硅 (SiC) MOSFET具有出色的动态性能和热性能。这些MOSFET具有低电容、低栅极电荷、快速开关速度以及良好的耐雪崩性能。这些碳化硅MOSFET能够在175°C的高结温下稳定工作。这些MOSFET具有高效率和低开关损耗。这些碳化硅MOSFET无需任何续流二极管。典型应用包括智能电网输配电、感应加热和焊接、供电及配电。

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