MSC040SMA120B4

Microchip Technology
494-MSC040SMA120B4
MSC040SMA120B4

制造商：

说明：
碳化硅MOSFET MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247-4
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供货情况

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无库存
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14 周 预计工厂生产时间。
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单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥144.5044 ¥144.50

产品属性 属性值 选择属性
Microchip
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
66 A
40 mOhms
- 10 V, + 23 V
2.6 V
137 nC
- 55 C
+ 175 C
323 W
Enhancement
商标: Microchip Technology
封装: Tube
产品类型: SiC MOSFETS
工厂包装数量: 30
子类别: Transistors
技术: SiC
单位重量: 6 g
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已选择的属性: 0

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合规代码
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
菲律宾
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

碳化硅 (SiC) 肖特基势垒二极管

Microsemi/Microchip  (SiC) 肖特基势垒二极管 (SBD) 具有出色的动态性能和热性能，优于传统的硅功率二极管。碳化硅势垒二极管由硅 (Si) 和碳 (C) 组成。与纯硅器件相比，碳化硅器件具有更高的介电击穿场强、更高的带隙和更高的热导率。碳化硅肖特基二极管具有零正向和反向恢复电荷，可减少二极管的开关损耗。这些器件还设有温度独立开关，可确保稳定的高温性能。

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