AFT05MP075GNR1
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841-AFT05MP075GNR1
AFT05MP075GNR1
制造商：
说明：
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast Broadband RF Power LDMOS Transistor, 136-520 MHz, 70 W, 12.5 V
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast Broadband RF Power LDMOS Transistor, 136-520 MHz, 70 W, 12.5 V
寿命周期:
寿命结束:
将过时且制造商将停产。
合规代码
- CNHTS:
- 8541290000
- CAHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290055
- JPHTS:
- 854129000
- KRHTS:
- 8541299000
- TARIC:
- 8541290000
- MXHTS:
- 8541299900
- ECCN:
- EAR99
原产地分类
- 原产国:
- 马来西亚
- 组装原产国/地区:
- 马来西亚
- 扩散国家:
- 美国
库存量: 292
-
库存：
-
292 可立即发货出现意外错误。请稍候重试。
-
生产周期：
-
26 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
数量大于292的订购须受最低订购要求的限制。