AFT09MP055NR1

Name: NXP AFT09MP055NR1
Brand: NXP Semiconductors
SKU: 841-AFT09MP055NR1
Price: 247.41 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

841-AFT09MP055NR1

制造商编号：

AFT09MP055NR1

制造商：

NXP Semiconductors

说明：

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast Broadband RF Power LDMOS Transistor, 764-941 MHz, 55 W, 12.5 V

寿命周期:

寿命结束:

将过时且制造商将停产。

数据表:

AFT09MP055NR1 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	NXP
产品种类:	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS:
晶体管极性:	N-Channel
技术:	Si
Id-连续漏极电流:	7.5 A
Vds-漏源极击穿电压:	40 V
工作频率:	764 MHz to 940 MHz
增益:	17.5 dB
输出功率:	57 W
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 150 C
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	TO-270WB-4
封装:	Reel
商标:	NXP Semiconductors
正向跨导 - 最小值:	7 S
湿度敏感性:	Yes
通道数量:	2 Channel
Pd-功率耗散:	625 W
产品类型:	RF MOSFET Transistors
系列:	AFT09MP055N
工厂包装数量:	500
子类别:	MOSFETs
类型:	RF Power MOSFET
Vgs - 栅极-源极电压:	+ 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.6 V
零件号别名:	935315139528
单位重量:	1.635 g

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数据表

AFT09MP055NR1 数据表 (PDF)

PCN

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 马来西亚
组装原产国/地区:: 马来西亚
扩散国家:: 美国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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AFT09MP055NR1

制造商： NXP Semiconductors

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