QPD1003

Qorvo
772-QPD1003
QPD1003

制造商:

说明:
GaN 场效应晶体管 1.2-1.4GHz 500W 50V SSG 20dB GaN

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产品属性 属性值 选择属性
Qorvo
产品种类: GaN 场效应晶体管
RoHS:  
SMD/SMT
RF-565
N-Channel
50 V
15 A
- 2.8 V
- 40 C
+ 85 C
370 W
商标: Qorvo
配置: Single
开发套件: QPD1003PCB401
增益: 19.9 dB
最大工作频率: 1.4 GHz
最小工作频率: 1.2 GHz
湿度敏感性: Yes
输出功率: 540 W
封装: Tray
产品类型: GaN FETs
系列: QPD1003
工厂包装数量: 18
子类别: Transistors
技术: GaN
晶体管类型: HEMT
Vgs-栅源极击穿电压 : 145 V
零件号别名: 1131389
单位重量: 104.655 g
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已选择的属性: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
JPHTS:
854239099
TARIC:
8542399000
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99

QPD GaN射频晶体管

Qorvo QPD GaN射频晶体管可用于Doherty架构,适用于宏蜂窝高效率系统的基站功率放大器的最后一级。这些GaN晶体管是分立式碳化硅基氮化镓 (GaN on SiC) 高电子迁移率晶体管 (HEMT),设有单级匹配功率放大器晶体管。典型应用包括W-CDMA/LTE、宏蜂窝基站、有源天线和通用应用。