QPD1881L

772-QPD1881L
QPD1881L

制造商:

说明:
GaN 场效应晶体管 2.7-2.9 GHz, 400W,50V,GaN RF Pwr Tr

寿命周期:
停产
ECAD模型:
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产品属性 属性值 选择属性
Qorvo
产品种类: GaN 场效应晶体管
发货限制:
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RoHS:  
SMD/SMT
NI780-2
N-Channel
145 V
13 A
- 40 C
+ 85 C
237 W
2.9 GHz
2.7 GHz
GaN
商标: Qorvo
配置: Single
开发套件: QPD1881LEVB01
增益: 21.2 dB
最大漏极/栅极电压: 55 V
湿度敏感性: Yes
输出功率: 400 W
产品类型: GaN FETs
系列: QPD1881L
工厂包装数量: 25
子类别: Transistors
晶体管类型: HEMT
Vgs-栅源极击穿电压 : - 7 V to 2 V
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已选择的属性: 0

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合规代码
USHTS:
8542390090
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
美国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时,国家/地区可能会发生变化。

供货情况

库存: