71V416S12BEG

Name: Renesas Electronics 71V416S12BEG
Brand: Renesas Electronics
SKU: 972-71V416S12BEG
Price: 78.54 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

972-71V416S12BEG

制造商编号：

71V416S12BEG

制造商：

Renesas Electronics

说明：

静态随机存取存储器 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS 静态随机存取存储器

数据表:

71V416S12BEG 数据表

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Renesas Electronics
产品种类:	静态随机存取存储器
RoHS:
存储容量:	4 Mbit
组织:	256 k x 16
访问时间:	12 ns
接口类型:	Parallel
电源电压-最大:	3.6 V
电源电压-最小:	3 V
电源电流—最大值:	180 mA
最小工作温度:	0 C
最大工作温度:	+ 70 C
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	CABGA-48
封装:	Tray
商标:	Renesas Electronics
存储类型:	SDR
湿度敏感性:	Yes
产品类型:	SRAM
系列:	71V416S12
工厂包装数量:	250
子类别:	Memory & Data Storage
类型:	Asynchronous
零件号别名:	IDT71V416S12BEG 71V416

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Technical Resources

Design Resource

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合规代码

CNHTS:: 8542319090
CAHTS:: 8542320041
USHTS:: 8542320041
JPHTS:: 854232019
KRHTS:: 8542321020
TARIC:: 8542324500
MXHTS:: 8542320201
ECCN:: 3A991.b.2.a

原产地分类

原产国:: 菲律宾
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

异步SRAM

Renesas Electronics异步SRAM基于高性能、高可靠性CMOS技术。该技术和创新电路设计方法为高速异步SRAM存储器需求提供了一种经济高效的解决方案。全静态异步电路无需时钟或刷新即可工作。瑞萨电子采用符合RoHS标准的6/6合规（绿色）封装，使用行业标准封装选项提供异步SRAM。

供货情况

库存：: 无库存

出现意外错误。请稍候重试。
生产周期：: 18 周预计工厂生产时间。

本产品所报告的交付时间长。

输入数量：

最少： 250 倍数： 250

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥88.7502	¥22,187.55
	¥86.5241	¥43,262.05
	¥84.2867	¥84,286.70
2,500	报价

71V416S12BEG

制造商： Renesas Electronics

说明： 静态随机存取存储器 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS 静态随机存取存储器

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静态随机存取存储器 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS 静态随机存取存储器