您似乎禁用了您浏览器中的JavaScript功能。本网页上的某些功能需要登录后才能使用。

TP65H030G4PRS-TR

Name: Renesas Electronics TP65H030G4PRS-TR
Brand: Renesas Electronics
SKU: 227-TP65H030G4PRS-TR
Price: 77.96 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

227-TP65H030G4PRS-TR

制造商编号：

TP65H030G4PRS-TR

制造商：

Renesas Electronics

说明：

GaN 场效应晶体管 650V, 30mohm GaN FET in TOLT

寿命周期:

新产品:

此制造商的新产品。

数据表:

TP65H030G4PRS-TR 数据表 (PDF)

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解Renesas Electronics TP65H030G4PRS-TR详情

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Renesas Electronics
产品种类:	GaN 场效应晶体管
RoHS:
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	TOLT-16
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	55.7 A
Rds On-漏源导通电阻:	41 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4.8 V
Qg-栅极电荷:	24.5 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	192 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	SuperGaN
技术:	GaN
商标:	Renesas Electronics
配置:	Single
下降时间:	5.2 ns
湿度敏感性:	Yes
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
产品:	FETs
产品类型:	GaN FETs
上升时间:	6.4 ns
系列:	Gen IV SuperGaN
工厂包装数量:	1300
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
类型:	GaN FET
典型关闭延迟时间:	63.6 ns
典型接通延迟时间:	26.4 ns

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

TP65H030G4PRS-TR 数据表 (PDF)

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

TP65H030G4Px 650 V 30mΩ GaN FET

Renesas Electronics TP65H030G4Px 650V 30mΩ氮化镓 (GaN) FET提供有TOLT、TO247和TOLL封装形式。这些GaN FET使用了Gen IV Plus SuperGaN^®平台，该平台将最先进的高压GaN HEMT与低压硅MOSFET相结合，使得该平台性能优异、采用容易且可靠，成为标准驱动产品。

Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN^® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.

特色产品

RENESAS ELECTRONICS

TP65B110HRU双向开关（BDS）

一款650V、110mΩ常关型氮化镓（GaN）双向开关（BDS），采用紧凑型TOLT封装。

了解更多的信息

TP65H030G4Px 650 V 30mΩ GaN FET

这些FET采用TOLT、TO247和TOLL封装，使用了Gen IV Plus SuperGaN^®平台。

了解更多的信息

TP65H050G4YS 650V SuperGaN® FET

50mΩ氮化镓 (GaN) 常关器件，采用4引线TO-247封装。

了解更多的信息

TP65H070G4RS 650 V SuperGaN® FET采用托尔特封装

R_DS(on)为72mΩ，采用符合JEDEC标准（MO-332）的顶部冷却表面贴装TOLT封装。

了解更多的信息

TP65H070G4PS 650 V SuperGaN® GaN FET

一款650V、70mΩ常关器件，具有优异的质量和性能。

了解更多的信息

库存量: 1,865

库存：: 1,865 可立即发货

出现意外错误。请稍候重试。
生产周期：: 18 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按1300的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥88.0948	¥88.09
	¥48.8838	¥488.84
	¥46.3187	¥4,631.87
整卷卷轴（请按1300的倍数订购）
	¥40.3636	¥52,472.68
	¥37.7985	¥98,276.10

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

TP65H030G4PRS-TR

制造商： Renesas Electronics

说明： GaN 场效应晶体管 650V, 30mohm GaN FET in TOLT

规格

文件 (1)

数据表

产品与贸易合规

更多信息

TP65H030G4Px 650 V 30mΩ GaN FET

Gen IV SuperGaN® FETs

客户还购买了

特色产品 RENESAS ELECTRONICS

库存量: 1,865

定价 (含13% 增值税)

快速查看

出现意外错误。

制造商：

Renesas Electronics

说明：

GaN 场效应晶体管 650V, 30mohm GaN FET in TOLT

特色产品

RENESAS ELECTRONICS