TP65H030G4PWS

Renesas Electronics
227-TP65H030G4PWS
TP65H030G4PWS

制造商：

说明：
GaN 场效应晶体管 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L

寿命周期:
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库存量: 1,305

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单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
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定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥84.4562 ¥84.46
¥53.3473 ¥533.47
¥45.2452 ¥4,524.52
¥39.3692 ¥19,684.60
¥39.2901 ¥37,718.50
2,880 报价

产品属性 属性值 选择属性
Renesas Electronics
产品种类: GaN 场效应晶体管
RoHS:  
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
55.7 A
41 mOhms
- 20 V, + 20 V
4.8 V
24.5 nC
- 55 C
+ 150 C
192 W
Enhancement
SuperGaN
商标: Renesas Electronics
配置: Single
组装国: CN
扩散国家: JP
原产国: CN
下降时间: 8 ns
封装: Tube
产品: FETs
产品类型: GaN FETs
上升时间: 6.8 ns
系列: Gen IV SuperGaN
工厂包装数量: 960
子类别: Transistors
技术: GaN
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: GaN FET
典型关闭延迟时间: 89.2 ns
典型接通延迟时间: 40.8 ns
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已选择的属性: 0

数据表

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

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