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TP65H030G4PWS

Name: Renesas Electronics TP65H030G4PWS
Brand: Renesas Electronics
SKU: 227-TP65H030G4PWS
Price: 75.84 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

227-TP65H030G4PWS

制造商编号：

TP65H030G4PWS

制造商：

Renesas Electronics

说明：

GaN 场效应晶体管 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L

寿命周期:

新产品:

此制造商的新产品。

数据表:

TP65H030G4PWS 数据表 (PDF)

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Renesas Electronics
产品种类:	GaN 场效应晶体管
RoHS:
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	55.7 A
Rds On-漏源导通电阻:	41 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4.8 V
Qg-栅极电荷:	24.5 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	192 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	SuperGaN
商标:	Renesas Electronics
配置:	Single
下降时间:	8 ns
封装:	Tube
产品:	FETs
产品类型:	GaN FETs
上升时间:	6.8 ns
系列:	Gen IV SuperGaN
工厂包装数量:	240
子类别:	Transistors
技术:	GaN
晶体管类型:	1 N-Channel
类型:	GaN FET
典型关闭延迟时间:	89.2 ns
典型接通延迟时间:	40.8 ns

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已选择的属性: 0

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数据表

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 日本

发货时，国家/地区可能会发生变化。

TP65H030G4Px 650 V 30mΩ GaN FET

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Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN^® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.