TP65H035WS

Renesas Electronics
227-TP65H035WS
TP65H035WS

制造商：

说明：
GaN 场效应晶体管 650V, 35mOhm

寿命周期:
停产
数据表:
ECAD模型:
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Renesas Electronics
产品种类: GaN 场效应晶体管
发货限制：
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RoHS:  
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
46.5 A
41 mOhms
- 20 V, + 20 V
3.3 V
36 nC
- 55 C
+ 150 C
156 W
Enhancement
GaN
商标: Renesas Electronics
配置: Single
下降时间: 11.5 ns
封装: Tube
产品类型: GaN FETs
上升时间: 13.5 ns
系列: TP65H
工厂包装数量: 30
子类别: Transistors
典型关闭延迟时间: 98.5 ns
典型接通延迟时间: 69 ns
单位重量: 6 g
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已选择的属性: 0

数据表

EOL

合规代码
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
菲律宾
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

供货情况

库存：

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