TP65H050G4WS

Name: Renesas Electronics TP65H050G4WS
Brand: Renesas Electronics
SKU: 227-TP65H050G4WS
Price: 83.37 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

227-TP65H050G4WS

制造商编号：

TP65H050G4WS

制造商：

Renesas Electronics

说明：

GaN 场效应晶体管 650V, 50mohm GaN FET in TO247-3L

数据表:

TP65H050G4WS 数据表 (PDF)

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Renesas Electronics
产品种类:	GaN 场效应晶体管
RoHS:
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	34 A
Rds On-漏源导通电阻:	60 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4.8 V
Qg-栅极电荷:	24 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	119 W
通道模式:	Enhancement
技术:	GaN
商标:	Renesas Electronics
配置:	Single
下降时间:	10.9 ns
封装:	Tube
产品类型:	GaN FETs
上升时间:	11.3 ns
工厂包装数量:	450
子类别:	Transistors
典型关闭延迟时间:	88.3 ns
典型接通延迟时间:	49.2 ns

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数据表

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 日本
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

650 V 34 A GaN FET

Renesas Electronics 650V 34A GaN（氮化镓）FET是常关型器件，采用Renesas Electronics第四代平台。此系列FET集高压GaN HEMT和低压硅MOSFET于一体。第四代SuperGaN®平台采用先进的外延工艺和专利设计技术，不仅简化了制造流程，还通过降低栅极电荷、输出电容、开关交叉损耗和反向恢复电荷，实现了高于硅基器件的效率。与传统硅基FET相比，GaN FET有着先天的优越性能，具备更快的开关速度和更优的热性能。