TP65H100G4PS

Name: Renesas Electronics TP65H100G4PS
Brand: Renesas Electronics
SKU: 227-TP65H100G4PS
Price: 48.46 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

227-TP65H100G4PS

制造商编号：

TP65H100G4PS

制造商：

Renesas Electronics

说明：

GaN 场效应晶体管 650V, 100mohm GaN FET in TO220

寿命周期:

新产品:

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数据表:

TP65H100G4PS 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Renesas Electronics
产品种类:	GaN 场效应晶体管
RoHS:
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-220-3
晶体管极性:	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	18.9 A
Rds On-漏源导通电阻:	110 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3.65 V
Qg-栅极电荷:	14.4 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	65.8 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	SuperGaN
技术:	GaN
商标:	Renesas Electronics
配置:	Single
下降时间:	7.5 ns
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
产品:	FETs
产品类型:	GaN FETs
上升时间:	7.1 ns
系列:	Gen IV SuperGaN
工厂包装数量:	1000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
类型:	GaN FET
典型关闭延迟时间:	58 ns
典型接通延迟时间:	23 ns

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数据表

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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	¥21.8316	¥43,663.20
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