TP70H300G4JSGB-TR

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

227-TP70H300G4JSGBTR

制造商编号：

TP70H300G4JSGB-TR

制造商：

Renesas Electronics

说明：

GaN 场效应晶体管 700V, 300mohm GaN FET in 5x6 PQFN

数据表:

TP70H300G4JSGB-TR 数据表 (PDF)

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解Renesas Electronics TP70H300G4JSGB-TR详情

发货提醒：

Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Renesas Electronics
产品种类:	GaN 场效应晶体管
发货限制：	Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS:
Vds-漏源极击穿电压:	700 V
商标名:	SuperGaN
技术:	GaN
商标:	Renesas Electronics
湿度敏感性:	Yes
封装:	Reel
产品:	FETs
产品类型:	GaN FETs
系列:	Gen IV SuperGaN
工厂包装数量:	5000
子类别:	Transistors

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

TP70H300G4JSGB-TR 数据表 (PDF)

此功能要求启用JavaScript。

合规代码

USHTS:: 8541497040
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN^® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.