MASTERGAN4

STMicroelectronics
511-MASTERGAN4
MASTERGAN4

制造商：

说明：
栅极驱动器 High power density 600V half-bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs
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单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
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定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥71.6307 ¥71.63
¥55.257 ¥552.57
¥51.2003 ¥1,280.01
¥46.6464 ¥4,664.64
¥45.3243 ¥11,331.08
¥44.2508 ¥22,125.40
¥40.6913 ¥40,691.30
2,500 报价

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 栅极驱动器
RoHS:  
Half-Bridge Drivers
Half-Bridge
SMD/SMT
QFN-31
2 Driver
3 Output
6.5 A
3.3 V
15 V
- 40 C
+ 125 C
MASTERGAN
Tray
商标: STMicroelectronics
特点: 600 V System-in-Package Integrating Half-Bridge Gate Driver
输入电压 - 最大值: 15 V
输入电压 - 最小值: 3.3 V
湿度敏感性: Yes
产品类型: Gate Drivers
Rds On-漏源导通电阻: 225 mOhms
工厂包装数量: 1560
子类别: PMIC - Power Management ICs
单位重量: 150 mg
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

PCN

合规代码
CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国台湾
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

MASTERGAN GaN半桥高压驱动器

STMicroelectronics MASTERGAN GaN半桥高压驱动器采用高功率密度电源，在半桥配置中集成了栅极驱动器和两个增强模式GaN晶体管。集成式电源氮化镓具有150mΩ RDS(ON) 和650V漏源击穿电压。集成式自举二极管可以快速为嵌入式栅极驱动器的高侧供电。

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