PD57018-E

STMicroelectronics
511-PD57018-E
PD57018-E

制造商：

说明：
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor
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库存量: 186

库存：
186
可立即发货
在途量:
400
预期 2026/2/17
生产周期：
23
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥251.8657 ¥251.87
¥214.813 ¥2,148.13
¥187.9303 ¥18,793.03

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS:  
N-Channel
Si
2.5 A
65 V
760 mOhms
1 GHz
16.5 dB
18 W
- 65 C
+ 150 C
SMD/SMT
PowerSO-10RF-Formed-4
Tube
商标: STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值: 1 S
湿度敏感性: Yes
Pd-功率耗散: 31.7 W
产品类型: RF MOSFET Transistors
系列: PD57018-E
工厂包装数量: 400
子类别: MOSFETs
类型: RF Power MOSFET
Vgs - 栅极-源极电压: + 20 V
单位重量: 3 g
找到的产品:
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已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

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